Поиск по сайту
Авторизация
Логин:
Пароль:
Забыли свой пароль?

Техническое описание

Диодные матрицы (далее – ДМ) бескорпусные типов 2Д910А-1/НН, 2Д910Б-1/НН, 2Д910В-1/НН, изготовленные на основе кремниевых пластин по планарной технологии, предназначены для применения в составе гибридных интегральных микросхем (далее – ГС), блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту ДМ от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.

Конструктивные характеристики ДМ:

- конструктивное исполнение: модификация 1;

- масса: не более 10мг;

- размер прибора: 1мм(max)×1мм(max)×1мм(max);

- длина гибких выводов: не менее 11мм;

- количество диодов: 2Д910А-1/НН – 1 диод,

2Д910Б-1/НН – 2 диода,

2Д910В-1/НН – 3 диода.

Основные электрические параметры:

Наименование

параметра, единица измерения,

режим измерения

Буквенное обозначе-ние

Норма

Температура,

оС

не

менее

не

более

Постоянное прямое напряжение, В,

при прямом токе Iпр = 50 мкА


0,5

–

25 ± 10

Uпр0

0,34

–

85 ± 2

Постоянное прямое напряжение, В,

при прямом токе Iпр = 1 мА


–

0,8

25 ± 10

Uпр1

–

1,1

– 60 ± 2

Постоянный обратный ток, мкА, при обратном напряжении Uобр = 5 В


–

0,5

25 ± 10

Iобр

–

10

85 ± 2

Время обратного восстановления, нс,

при переключении с 5 мА постоянного прямого тока на 5 В обратного напряжения при уровне отсчета

обратного тока 2 мА

tвос, обр

–

5

25 ± 10

Емкость, пФ, при постоянном напряжении смещения 0,1 В

СД

–

1,5

25 ± 10

Стойкость к внешним воздействующим факторам:

ДМ в составе ГС устойчивы к климатическим воздействиям, рабочий диапазон температуры от минус 600С до плюс 850С. Время потери работоспособности при воздействии И2 с уровнем 1У не более 0,6 мкс.

Надежность:

Минимальная наработка ДМ – 25000 часов.

Срок сохраняемости в составе ГС – 25 лет.

Поставка бескорпусных ДМ ведется в сопроводительной таре ТС-21.