История - Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток
Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток
+7 (383) 205-29-00
с 8:00 до 16.30 по Нск
630082, г.Новосибирск, ул.Дачная, 60
Предприятие
  • Предприятие сегодня
  • История
  • Карьера
Продукты
  • Микросхемы
    • АЦП, ЦАП
    • Базовые матричные кристаллы
    • Микросхемы для источников питания
    • Микросхемы запоминающих устройств
    • Микросхемы интерфейса
    • Микросхемы логические
    • Операционные усилители
  • Полупроводники
    • Диоды
    • Малоемкостные ограничители напряжения с импульсной мощностью до 1,5 кВт в корпусе для навесного монтажа КД-7Е (DO-201)
    • Маломощные ограничители напряжения
    • Ограничители напряжения общего назначения
    • Ограничители напряжения с импульсной мощностью до 1,5 кВт в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа КТ-93-1 (DO-214AB)
    • Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны
    • Стабилитроны общего назначения
    • Стабисторы общего назначения
  • Фотоприемные и оптические устройства
    • Линейные многоэлементные ФПУ
    • Приемники оптического излучения пироэлектрические
    • Фотоприемники оптического излучения
Новости
Контакты
Горячая линия
    Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток
    Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток
    Меню
    Предприятие
    • Предприятие сегодня
    • История
    • Карьера
    Продукты
    • Микросхемы
      • АЦП, ЦАП
      • Базовые матричные кристаллы
      • Микросхемы для источников питания
      • Микросхемы запоминающих устройств
      • Микросхемы интерфейса
      • Микросхемы логические
      • Операционные усилители
    • Полупроводники
      • Диоды
      • Малоемкостные ограничители напряжения с импульсной мощностью до 1,5 кВт в корпусе для навесного монтажа КД-7Е (DO-201)
      • Маломощные ограничители напряжения
      • Ограничители напряжения общего назначения
      • Ограничители напряжения с импульсной мощностью до 1,5 кВт в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа КТ-93-1 (DO-214AB)
      • Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны
      • Стабилитроны общего назначения
      • Стабисторы общего назначения
    • Фотоприемные и оптические устройства
      • Линейные многоэлементные ФПУ
      • Приемники оптического излучения пироэлектрические
      • Фотоприемники оптического излучения
    Новости
    Контакты
    Горячая линия
      +7 (383) 205-29-00
      с 8:00 до 16.30 по Нск
      Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток
      • Предприятие
        • Назад
        • Предприятие
        • Предприятие сегодня
        • История
        • Карьера
      • Продукты
        • Назад
        • Продукты
        • Микросхемы
          • Назад
          • Микросхемы
          • АЦП, ЦАП
          • Базовые матричные кристаллы
          • Микросхемы для источников питания
          • Микросхемы запоминающих устройств
          • Микросхемы интерфейса
          • Микросхемы логические
          • Операционные усилители
        • Полупроводники
          • Назад
          • Полупроводники
          • Диоды
          • Малоемкостные ограничители напряжения с импульсной мощностью до 1,5 кВт в корпусе для навесного монтажа КД-7Е (DO-201)
          • Маломощные ограничители напряжения
          • Ограничители напряжения общего назначения
          • Ограничители напряжения с импульсной мощностью до 1,5 кВт в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа КТ-93-1 (DO-214AB)
          • Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны
          • Стабилитроны общего назначения
          • Стабисторы общего назначения
        • Фотоприемные и оптические устройства
          • Назад
          • Фотоприемные и оптические устройства
          • Линейные многоэлементные ФПУ
          • Приемники оптического излучения пироэлектрические
          • Фотоприемники оптического излучения
      • Новости
      • Контакты
      • Горячая линия
      • +7 (383) 205-29-00
      630082, г.Новосибирск, ул.Дачная, 60
      office@nzpp.ru
      • Главная
      • Предприятие сегодня
      • История

      История

      История

      История предприятия начинается в 1949 году с основания научно-исследовательского института вакуумной техники с опытным заводом НИИ-617. Сегодня АО «НЗПП Восток» — ведущий российский разработчик и производитель электроники, операционных усилителей, фотоприемных устройств и датчиков. Мы предлагаем готовую продукцию и создаем инновационные технологические решения с «нуля», от этапа разработки до внедрения, для сектора реальной экономики и бизнеса.

       

      2020-2030

      В 2020 году на АО «НЗПП Восток» стартовала программа модернизации и технического перевооружения предприятия. Она рассчитана до 2030 года и предполагает строительство новых производственных мощностей для выпуска передовой микроэлектронной продукции.

      2018-2022

      Завершено объединение предприятий АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ» (АО «НЗПП С ОКБ») и АО «Научно-производственное предприятие Восток» (АО «НПП Восток»). В процессе взаимной интеграции часть производств перемещена с промышленной площадки АО «НПП Восток» на АО «НЗПП с ОКБ».

      2010

      Разработана базовая конструкция и базовая технология унифицированных электронных модулей — защитных устройств РЭА от перенапряжений в сетях электропитания, возникающих при косвенном воздействии грозовых разрядов и в результате коммутационных переходных процессов с энергией воздействующих импульсов не более 150 Дж при длительности от 1 до 5 мс. Ведутся разработки как традиционной продукции — операционных усилителей, схем памяти, фотоприемных устройств, так и продукции в принципиально новых для предприятия направлениях — силовая электроника, цифровая рентгенография, средства связи. Разрабатываются новые изделия и устройства: универсальный таксофон, предназначенный для работы как в местном, так и междугороднем режимах, серии рентгеновских детекторов с электронным трактом визуализации изображения на экране персонального компьютера, блока детектирования для систем безопасности (совместно с Институтом ядерной физики), силовых транзисторов с полевым управлением и со статической индукцией заряда и другие приборы.

      2005-2010

      На «НЗПП С ОКБ» разработаны и введены в производство цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи.

      2005-2006

      На «НЗПП С ОКБ» разработана и освоена в производстве микросхема двухканального цифрового потенциометра на 256 положений с трех-проводным последовательным интерфейсом (1272ПНхТ).

      2004-2006

      На «НЗПП С ОКБ» разработаны и освоены в производстве 3 типономинала фильтров нижних частот (серия 1478).

      2003–2004

      На «НЗПП С ОКБ» освоено производство счетчиков электрической энергии.

      2000

      На «НЗПП С ОКБ» разработаны первые аналоговые КМОП-микросхемы, начат выпуск микромощных выпрямительных столбов для приборов ночного видения.

      1991

      На «НЗПП С ОКБ» выпущено максимальное количество полупроводниковых приборов и ИС (213,9 млн. штук).

      1980–1985

      На «НЗПП С ОКБ» разработан и освоен в производстве КМОП микропроцессорный комплект серии 1821.

      1976–1986

      На «НЗПП С ОКБ» разработаны первые отечественные ограничители напряжения мощностью 0,15; 0,5; 1,5; 5,0 КВт.

      1975–1980

      Разработка и освоение КМОП-интегральных микросхем с расширенным диапазоном питающих напряжений (от 3 до 18В).

      1973–1975

      Создание в ОКБ базовой КМОП-технологии, разработка САПР КМОП ИС и системы проектирования топологии и фотошаблонов.

      1973

      Освоение первых КМОП-интегральных микросхем с напряжением питания 10В, разработанных в ОКБ.

      1970

      Начало разработок в ОКБ интегральных микросхем на основе КМОП-технологии (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник).

      1965

      В НИИ-617 / НПП «Восток» организован отдел полупроводниковой техники. Впервые в стране разрабатывается и осваивается серия полевых транзисторов.

      1963

      В НИИ-617 / НПП «Восток» создана лаборатория, открывающая новое направление в создании электронных приборов на базе использования свойств твердого тела. Начаты работы над полупроводниковой тематикой.

      1961–1975

      Разработана серия стабилитронов с напряжением стабилизации от 0,7 до 100В и рассеиваемой мощностью от 125 до 1000 мВт, термокомпенсированные стабилитроны с уходом напряжения стабилизации до 0,001% на градус, разработаны основные принципы планарной технологии.

      1961

      ОКБ разработало первые изделия – стабилитроны Д814 и диод Д504.

      1959

      На НЗПП освоены диоды Д9, Д10, Д101-103А, Д11, стабилитроны Д808-813. Выпуск полупроводниковых приборов 10 млн. штук, электровакуумных приборов 4 млн. штук. В составе НЗПП создано Особое конструкторское бюро (ОКБ) («НЗПП С ОКБ»).

      • 1
      • 2
      История
      Предприятие
      Предприятие сегодня
      История
      Карьера
      Пресс-центр
      Политика конфеденциальности
      Наши контакты

      +7 (383) 205-29-00
      с 8:00 до 16.30 по Нск
      630082, г.Новосибирск, ул.Дачная, 60
      office@nzpp.ru
      © 2026 Все права защищены.
      Разработка сайта — AiR
      Сообщить об ошибке
      Карта сайта
      Мы используем куки (cookies) с целью повышения удобства вашей работы с сайтом.
      Продолжая работу с сайтом, вы соглашаетесь с нашей политикой конфиденциальности.